芯片厂家logo大全(芯片图标是什么品牌)

高科德 2022-11-04 18:05 编辑:邢海 299阅读

芯片厂家logo大全

这种?这是Realtek(瑞昱)的芯片啦。

瑞昱半导体是台湾品牌,主要是生产电脑、显示、无线通讯这一类的芯片

芯片图标是什么品牌

2020年全球芯片巨头前十名:美国占6家,韩国2家,国内仅有1家

1 Intel 英特尔

2 Samsung Electronics 三星公司

3 3SK hynix

4 Micron Technology 微米技术

5 Qualcomm 高通

6 Broadcom 博通

7 Texas Instruments 德州仪器

8 MediaTek 联发科

9 KIOXIA

10 Nvidia 英伟达

元器件厂家logo

SCR

可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 简称SCR,是一种大功率电器元件,也称晶闸管。它具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中,可作为大功率驱动器件,实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。

可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。双向可控硅也叫三端双向可控硅,简称TRIAC。双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接,这种可控硅具有双向导通功能。其通断状态由控制极G决定。

在控制极G上加正脉冲(或负脉冲)可使其正向(或反向)导通。这种装置的优点是控制电路简单,没有反向耐压问题,因此特别适合做交流无触点开关使用。

芯片企业logo

LM358P,LM358M,LM358N只是封装方式不一样而已。芯片命名方式一般都是:字母+数字+字母前面的字母是芯片厂商或是某个芯片系列的缩写。象MC开始的多半是摩托罗拉的,MAX开始的多半是美信的。中间的数字是功能型号。象MC7805和LM7805,从7805上可以看出它们的功能都是输出5V,只是厂家不一样。后面的字母多半是封装信息,要看厂商提供的资料才能知道具体字母代表什么封装。

芯片图案logo

说起中国的芯片发展史,最早要追溯到20世纪五十年代,这里不得不提到一个人,那就是---王守武,王守武1919年3月15日,生于江苏苏州。1941年毕业于同济大学。1946年获美国普渡大学硕士学位,1949年获博士学位。历任中国科学院半导体研究所研究员、半导体研究室主任、微电子中心名誉主任。

解放初期的中国百废待兴,在半导体和集成电路领域可以说是一片荒芜。当时王守武与他同期的黄昆在北京大学物理系开设了《半导体物理学》的课程,这一新兴课程也由他们四人(洪朝生、汤定元)合作讲授。

关于《半导体物理学》这本著作后来几乎成为我国理工专业学生的必读经典之作。说到《半导体物理学》这本著作还有另外一位作者---谢希德。她是复旦的老校长,被称作“中国半导体之母”。她是中国半导体物理和表面物理科学研究的主要倡导者和组织者之一。

1956年,在周恩来总理的重点关注下,半导体技术被列入国家重要的科学技术项目。由此中国开始了漫长的半导体全面攻坚战。

1947年12月23日,美国贝尔实验室正式地成功演示了第一个基于锗半导体的具有放大功能的点接触式晶体管,标志着现代半导体产业的诞生和信息时代的开启。

1960年,中科院半导体所和河北半导体所正式成立,标志着我国半导体工业体系初步建成。

此时全世界各国都在积蓄力量 发展科技,然而此时的中国在这场科技战争打响前时期,中国却显现出无力感,集成电路等先进技术在国际社会的施压之下,让中国断了与国际技术交流。再者就是当时中国还在进行文革,街上浮现的是甚是夸张的标语:街边随便的一个老太太在弄堂里拉一个炉子都能做出半导体。

技术更迭速度是非常的迅速中国至此已经开始落后。

1960年,国营江南无线电器材厂就成立于无锡一个名为棉花巷的地方,200左右名员工的主要任务就是生产二极管。随后在1968年底,国家“大力发展电子工业”的号召从上传到下,国防工业军管小组大手一挥,无锡无线电机械学校与“742”厂合并,开始搞新型半导体工艺设备的研究、试制和生产。

742厂

1982年,国务院专门成立领导小组,制定详细的中国芯片发展规划,四年之后,筹备许久的关于中国芯的第一个发展战略诞生——“531”战略。

1988年,我国集成电路产量达到1亿块,标志着我国开始进入工业化大生产,比老美晚了22年,比日本晚了20年,从1965年的第一块集成电路,中国用了漫漫的23年。

“531”战略的成功,让当时的中国人充满了斗志,于是908工程顺利诞生,当时计划投入20亿资金,但是这一计划在审核阶段就花费了整整两年的时间,两年时间说长不长,但是对于高新技术发展来说却是漫长的一段时间。1997年无锡华晶才建成 此时已经整整落后其他国家一大截。

20世纪90年代,国家领导人在参观了三星集成电路生产线后意识到了中国在集成电路方面的落后。当时带回来的是“触目惊心”的四字感叹。在如此背景下诞生了909工程。909工程的审批上吸取了908的教训。资金计划审批几乎是即刻就到位了。

2001年对中国人来说是一个不平凡的一年,2001年中国申奥成功,2001年“方舟1号”诞生。此时中国的龙芯项目也在悄然地进行着。当时龙芯项目所遇也是困难重重,由于技术上面的不成熟,无法得到市场的认可。

再说说这个时候的华为已经在默默地扶持海思为后面的华为崛起打下基础。华为任正非知道,在科技领域,没有喘息的机会,哪怕落后一点点,就意味着逐渐死亡。1991年华为成立ASIC设计中心,设计自己的芯片,而在当时,华为才刚刚创立四年,员工只有几十人,资金就是第一大难题。但华为人没有放弃,两年之后华为研发出第一块数字专用集成电路,2004年在ASIC基础上,华为的神秘部队海思诞生了,十几年间,海思没有停下更新迭代的脚步。

742厂

2006年,“核高基”重大专项正式上马。“核高基”是“核心电子器件、高端通用芯片及基础软件产品”的简称。当年,国务院颁布了《国家中长期科学和技术发展规划纲要(2006-2020年)》,将“核高基”列为16个科技重大专项之首,与载人航天、探月工程等并列。

芯片品牌图片大全

常见的生产显示芯片的厂商:intel、ati、nvidia、via(s3)、sis、matrox、3dlabs。

intel、via(s3)、sis主要生产集成芯片;

ati、nvidia以独立芯片为主,是目前市场上的主流。

matrox、3dlabs则主要面向专业图形市场。

由于ati和nvidia基本占据了主流显卡市场

进口芯片品牌标志图

芯片-- 电阻,电容,存储原件等一般进口是零关税,继电器要3C,具体以海关编码为准。

海关增值税是17%。

芯片厂商logo

因为芯片上有螃蟹标志。

瑞昱芯片以螃蟹为公司的标章,这象征着希望它可以像螃蟹一样在自然界中坚韧的生命力,无畏和勇气。 这种对艰辛和险恶的恐惧以及对追求卓越的竞争,是对自我磨练和挫败感的最好写照。 在技术洪流中,如同生机勃勃的螃蟹一样成长。

芯片公司名称大全

st芯片属于意法半导体集团。该集团于1987年成立,是由意大利的SGS微电子公司和法国Thomson半导体公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics将公司名称改为意法半导体有限公司。意法半导体是世界最大的半导体公司之一,总部位于瑞士。“ST”集团的产品阵容:

1、多媒体及电源专业产品。

2、微电子产品。

3、电子和工业设备。

芯片厂家标志大全

第一代:约1946到1958年间,这个时期构成计算机的主要逻辑元件是电子管,称为电子管时代。

第二代:约1959到1964年间。第二代计算机用晶体管代替了体积庞大的电子管,人们将这一时代称为晶体管计算机时代。

第三代:约1965到1970年间,此阶段以中、小规模集成电路作为计算机的逻辑元件。这一时代称为集成电路计算机时代。

第四代:从70年代起,随着集成电路集成度的不断提高,采用大规模、超大规模集成电路作逻辑元件, 这一时代称为大规模集成电路计算机时代

中国芯logo

中芯国际的发展主要经历三个阶段。

第一阶段(2000年-2004年)为原始积累阶段。2000年4月3日,公司在上海浦东开工建设,是中国大陆第一家提供0.18微米技术节点的集成电路晶圆代工企业。2001年,公司建设完成上海8英寸生产基地;2002年,公司实现0.18微米的全面技术认证和量产。同年,公司北京12英寸生产基地举行奠基仪式。2003年,公司收购天津摩托罗拉晶圆厂并成立中芯天津。公司陆续实现0.35微米-0.13微米的全面技术认证和量产,标志着公司集成电路晶圆代工技术完成初步积累。2004年,公司首次实现盈利并于香港联交所(港交所股份代号:981)与美国纽交所上市(纽交所代号:SMI)。

第二阶段(2004年-2015年)起步发展阶段。2004年起,公司北京12英寸生产基地逐步投入生产。12英寸集成电路晶圆代工业务的成功落地是公司发展过程中的重要里程碑,标志着公司成为8英寸和12英寸集成电路晶圆代工业务兼备的企业。2005年,公司年度营业收入首次突破10亿美元。2006年实现90纳米技术节点的集成电路晶圆量产,2009年65-55纳米量产、2011年顺利45-40纳米量产,技术服务能力实现跨越式提升。2013年,公司年度营业收入首次突破20亿美元。

第三阶段(2015-今)快速发展阶段。2015年,公司成为中国大陆第一家实现28纳米量产的企业,实现中国大陆高端芯片的突破,公司进入战略积累期后的高速发展时期,并分别在上海、北京、天津和深圳启动生产基地的新建和扩建。2017年,公司年度营业收入突破30亿美元。2019年,公司取得重大进展,实现14纳米FinFET量产,第二代FinFET技术进入客户导入阶段。